בחתירה הבלתי פוסקת אחר יעילות גבוהה יותר, תדר גבוה יותר ותפעול בטמפרטורה גבוהה יותר באלקטרוניקה כוחנית, חומרים מסורתיים מבוססי סיליקון- מתקרבים לגבולות הפיזיים שלהם. סיליקון קרביד, חומר בולט של-מוליכים למחצה מהדור השלישי, ממוקם בחזית הפוטנציאל של החלפת סיליקון, הודות לתכונותיו הייחודיות של מרווח פס רחב. עם מרווח פס רחב פי שלושה מזה של סיליקון, שדה חשמלי פירוק חזק פי עשרה ומוליכות תרמית גבוהה יותר מפי שלושה, התקני כוח מבוססי SiC יכולים לעמוד בפני מתחים גבוהים יותר, לעבור מהר יותר, להפגין התנגדות- נמוכה יותר ולפזר חום בצורה יעילה הרבה יותר. מממירי מתיחה בכלי רכב חשמליים ועד לספקי כוח בתחנות בסיס 5G, SiC עוברת מ"כוכב מעבדה" ל"סוס עבודה תעשייתי". הפוטנציאל שלו כבר אומת בדגמים-בייצור המוני כמו Tesla Model 3.
עם זאת, עבורSiCכדי להפוך באמת ל"חומר האולטימטיבי", נותרו שני אתגרים משמעותיים. ראשית, ייצור מצעי SiC ופלים אפיטקסיאליים הוא קשה במיוחד. צמיחת הגבישים דורשת טמפרטורות גבוהות במיוחד וקצבים איטיים, בעוד ששליטה בפגמים נותרה מכשול עיקרי, מה שהופך את פרוסות SiC ליירות בהרבה מאלו של סיליקון. שנית, שלבי העיבוד הבאים כמו חיתוך, שחיקה ותחריט הם מאתגרים בשל הקשיות והאינרטיות הכימית של SiC, הדורשים ציוד ותהליכים מיוחדים המשפיעים על התפוקה. גורמים אלה מעלים ישירות את העלות של מכשירי SiC. כתוצאה מכך, ביישומים רגישים למחיר- רבים (כגון ספקי כוח לצרכן או מכשירי חשמל ביתיים), הסיליקון המסורתי עדיין שולט. לעת עתה, האימוץ של SiC מתרכז בעיקר ביישומים-מתקדמים, "ביצועים-מעל-עלות".
במבט קדימה, גורלה של SiC תלוי בבגרות ובקצב החדשנות בשרשרת התעשייתית שלה. מצד אחד, ככל שקווי ייצור פרוסות בגודל 6- ו-8- אינץ' מתרחבים ותהליכי הצמיחה עוברים אופטימיזציה, עלויות המצע צפויות לרדת באופן משמעותי במהלך חמש השנים הקרובות. מצד שני, מונעות על ידי שווקים מסיביים כמו רכבים חשמליים, אחסון אנרגיה פוטו-וולטאית וספקי כוח תעשייתיים, חברות מובילות מאיצות אינטגרציה אנכית ואיטרציה טכנולוגית. ניתן לצפות מראש שברגע שהעלות של SiC תרד מתחת לסף קריטי, היא תהפוך לברירת המחדל בתרחישי-מתח גבוה,-תדר גבוה, ולא רק אלטרנטיבה. אבל כדי לערער על גבולות המתח האולטרה-גבוה (למשל, מעל 10kV) או התדר האולטרה-גבוה, חומרים אחרים כמו גליום ניטריד (GaN) או אפילו יהלום עשויים להתחרות או להשלים אותו. לפיכך, בעוד ש-SiC אולי לא התשובה הסופית, היא ללא ספק אבן הדרך המוצקה ביותר לקראת הדור הבא של ארכיטקטורות אלקטרוניקה כוח.
